PROF.DR. HÜSEYİN SARI    
Adı : HÜSEYİN
Soyadı : SARI
E-posta : hsari@eng.ankara.edu.tr, hsari100@gmail.com
Tel : 0 536 295 3555
Ünvan : PROF.DR.
Birim : MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ
Bölüm : FİZİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ
Kişisel Akademik Bilgiler


Prof. Dr. Hüseyin Sarı

 

Fizik Mühendisliği Bölümü                                                                          Tel: 0 (312) 203 3424

Mühendislik Fakültesi                                                                                Faks: 0 (312) 212 7343

Ankara Üniversitesi                                                                                   www: huseyinsari.net.tr

06100 Tandoğan, Ankara                                                               e-posta: hsari100@gmail.com

hsari@eng.ankara.edu.tr

Doğum Yeri/Tarihi:

Çüngüş-D.Bakır / 08-11-1966

Eğitim:      

·         Ankara Üniversitesi, Ankara                                                                  

        Profesör, Fizik Mühendisliği Bölümü, Şubat 2015 

·         Ankara Üniversitesi, Ankara                                                                

        Doçent, Fizik Mühendisliği Bölümü, Ocak 2009

·         Kaliforniya Üniversitesi San Diego, La Jolla, San Diego, ABD                       Doktora, Elektrik ve Bilgisayar Mühendisliği Bölümü, Ocak 2001

·         Massachusetts Üniversitesi Lowell, Lowell, Massachusetts, ABD                   

        Yüksek Lisans, Uygulamalı Fizik Bölümü, Ekim 1995

·         Hacettepe Üniversitesi, Beytepe, Ankara                                                          Lisans, Fizik Mühendisliği Bölümü, Haziran 1990

Diğer:

·         Anadolu Üniversitesi, AÖF Fakültesi, Eskişehir                                               Önlisans, Coğrafi Bilgi Sistemleri, Haziran 2019

·         Anadolu Üniversitesi, AÖF Fakültesi, Eskişehir                                              Önlisans, Kültürel Miras ve Turizm, Haziran 2016

·         Anadolu Üniversitesi, AÖF Fakültesi, Eskişehir                                               Önlisans, Fotoğrafçılık ve Kameramanlık, Haziran 2013

 

Araştırma Deneyimi:

2014 (Nisan-Ağustos), Tokyo Bilim Üniversitesi, Tokyo-Japonya, Elektrik Mühendisliği Bölümü (Davetli Araştırmacı)

      • Invisible Solar cell
      • Empedans Spektrometresi 

2001- , Ankara Üniversitesi, Fizik Mühendisliği Bölümü

      • CdS ve ZnS nanoparcacıkların üretimi ve elektriksel özellikleri
      • Langmuir-Blodgett ince filmlerin elektriksel özellikleri

2001( Şubat-Temmuz)         

Doktora Sonrası: Kaliforniya Üniversitesi San Diego, Elektrik ve Bilgisayar Mühendisliği Bölümü

      • InGaAs bileşik yarıiletkenlerin elektronik ve optik özellikleri

1995-2001, Kaliforniya Üniversitesi San Diego, Elektrik ve Bilgisayar Mühendisliği

                  Bölümü

      • Moleküler Beam Epitaxy(MBE) sistemi (yarıiletken kristal büyütme ve bakım)
      • Yüksek (HV) ve oldukça yüksek vakum (UHV) düzenekleri üzerine deneyim
      • GaAs ve InP tabanlı heteroyapıların büyütülmesi
      • Yüksek mobiliteli alan etkili transistör (HEMT) fabrikasyonu (optik litografi, termal ve elektron demeti-e-beam evaporasyon tekniği)
      • Elektriksel ölçüm teknikleri (Hall, C-V)
      • Malzeme karakterizasyon teknikleri
        • Fotolüminasans
        • Fotoreflaktans
        • Yüksek çözünürlük X-ışını kırınım yöntemi

§  Düşük sıcaklıklarda optik hologram kaydı

1993-1995, Massachusetts Üniversitesi Lowell, Uygulamalı Fizik Bölümü

§  Optik dalga kılavuzuna gömülü ayna tasarımı ve modellemesi

1990-1992, Hacettepe Üniversitesi, Fizik Mühendisliği Bölümü

§  Düşük sıcaklıkda manyetik ölçümler

Eğitim Deneyimi: 

2001-          Ankara Üniversitesi, Fizik Mühendisliği Bölümü, Ankara

·         Sayısal Elektronik Laboratuvarı

·         Teknik Elektrik-I

·         Temel Fizik-I, -II

·         Dalgalar ve Optik

·         Elektro-Optik (Yeni Ders)

·         Optoelektronik (Y. Lisans-Yeni Ders)

·         Yarıiletkenlerin Optik Özellikleri (Y. Lisans-Yeni Ders)

Bilgisayar Programlama:

·       Matlab

·       Labview 

Yabancı Dil:

·         İngilizce

·         Japonca-Temel Seviye 

Ödüller:

·       TÜBA Açık Arşiv Ders Metaryali-Telif, 2011

·       A.Ü. Fen Bilimleri Enst. Doktora Tezi Yayın Ödülü (Danışman Olarak)

·       MEB Yurtdışı Yüksek Lisans ve Doktora bursu (Türkiye Birincisi)

·       Türk Fizik Vakfı tarafından karşılıksız burs

Kitap Yazarlığı:

Popüler/Sosyal Sorumluluk

·         “Frig Yolu-Rehber Kitap”, H. Sarı, ISBN: 978-605-86778-4-5, 2013

·         “Doğa İnsanın Öğretmenidir”, Editör, TÜBİTAK Bilim Kampı, 2008

Teknik

·         “Optoelektronik Ders Notları”, TÜBA Açık Arşiv, 2011

·         “Vakum Tekniği“, Ç.Tarımcı, H. Sarı, ISBN:9944-5628-0-7, Eylül2006

Projeler:

·         “Desen Tanıma”, TÜBİTAK 2209-Üniversite Öğrencileri Yurt İçi/Yurt Dışı Araştırma Projeleri Destekleme Programı-A (Sanayii Entegre Proje Destek Programı), (Proje Öğrenci Danışmanı) (Tamamlanmış)-2013

·         “Organik Tabanlı CdS ve ZnS Nanoparçacıkların Elektrik Özelliklerinin İncelenmesi”, Balıkesir Üniversitesi Bilimsel Araştırmalar Projesi (BAP), Proje No: 2012/89, 2011-2012 (Proje Araştırmacısı) (Tamamlanmış)

·         “Doğa İnsanın Öğretmenidir” Tübitak-Bilim ve Toplum Projesi, Proje No: 107-B079, 2007 (Yardımcı Eleman) (Tamamlanmış)

·         “Yüzey Durumlarının Metal/Bakır (I) oksit/metal Yapılarının Foto-Voltaik Özellikleri Üzerindeki Etkisinin İncelenmesi”, Ankara Üniversitesi Bilimsel Araştırmalar Projesi (BAP), Proje No: 07B4343001, Baş: 21.03.2007-Bitiş 2010 (Araştırmacı) (Tamamlanmış)

·         “Langmuir-Blodgett (LB) filmler için elektrot fabrikasyonu ve bu türden yarıiletken filmlerin elektriksel ölçümleri”, Ankara Üniversitesi Bilimsel Araştırmalar Projesi (BAP), Proje No:2003-07-45-016, 2003-2004 (Proje yürütücüsü) (Tamamlanmış)

Seçilmiş Yayınlar:

1-   Hüseyin Sarı, Hidenori Sakakura, Daisuke Kawade, Masayuki Itagaki, Mutsumi Sugiyama, “Quantification of sputtering damage during NiO film deposition on a Si/SiO2 substrate using electrochemical impedance spectroscopy”, Thin Solid Films,  592 (2015) 150–154

2-      M. Sivaslıgil, C. B. Erol, Ö. M. Polat, and H. Sarı, "Validation of refractive index structure parameter estimation for certain infrared bands" Appl. Opt. 52, 3127-3133 (2013).

3-      M. Evyapan, R. Capan, M. Erdoğan, H. Sari, T. Uzunoglu, H. Namli, Journal of Materials Science: Materials in Electronics, "Electrical Conductivity Properties of Boron Containing Langmuir-Blodgett Thin Films", vol:24, issue:9; s:3403-2411,2013

4-      T. Uzunoglu, H. Sari, R. Capan, H. Namli, O. Turhan, O. “Characterization of  novel 1,3-bis-(p-iminobenzoic acid) indane Langmuir-Blodgett (LB) films, with and without Zn2+ ions”, J. of Optoelectronics and Advanced Materials, vol. 11, No.10, p1408-1411, 2009

5-      Z. Özbek, R. Çapan, Sarı, H., T. Uzunoğlu, ve F. Davis, “Electrical properties of Langmuir-Blodgett thin films using calixarene molecules”, Journal of Optoelectronics and Advanced Materials, vol. 11, No.10,  p1412-1415, 2009

6-      T. Uzunoğlu, R. Çapan, H. SarıInfluence of Cd2+ ions on electrical properties of stearic acid Langmuir-Blodgett (LB) Films”, Materials Chemistry and Physics (ISSN: 0254-0584), vol. 117, 281-283, 2009

7-      H. Sarı, T. Uzunoğlu, R. Çapan, N. Serin, T. Serin, Ç. Tarimci, A. K. Hassan, H. Namli, O. Turhan, “Investigation of the electrical properties of a novel 1,3-Bis-(p-iminobenzoik acid) indan Langmuir-Blodgett (LB) films containing ZnS nanoparticles”, J. Nanoscience and Nanotechnology, Vol.7, No:8, 2654-2658, (2007)

8-      T. Serin, N. Serin, S. Karadeniz, H. Sarı, N. Tuğluoğlu, O. Pakma, “Electrical, structural and optical properties of SnO2 thin films prepared by spray pyrolysis”, J. Non-Crystalline Solids, 352, 209-215 (2006).

9-     H. H. Wieder, H. Sarı, “Surface and interface properties of In0.80Ga0.20As MIS Structures”, J. Vacuum Science and Technology B, 20(4), 1759(2002).

10-  H. H. Wieder, H. Sarı, “DX centers in Al0.37Ga0.63/AlGaAs and In0.34Al0.66As /In0.34Ga0.66As heterostructures”, J. Vacuum Science and Technology B, 17(4), 1761(1999).

11-  H. Sarı, H. H. Wieder, “DX centers in InxAl1-xAs”, Journal of Applied Physics, 85(6), 3380(1999).

12-  Y. Öner, H. Sarı, “Rotation of anisotropy in a Ni76Mn24 spin-glass alloy”, Physical Review B  (Condensed Matter), vol.49(9), 5999(1994).

13-  Y. Öner, H. Sarı, “Rotational vector magnetization measurements on Ni74Mn24Pt2 alloy”, Journal of Magnetism and Magnetic Materials, vol.132, (no.1-3), 55(1994).

 

Sunumlar ve Bildiriler:

1-   Göktuğ Gencehan Artan, H. Sarı “Design of a cost-effective laser spot tracker”, Proceedings of SPIE, Vol:101911019107, SPIE Laser Radar Technology and Applications XXII, (Conference 10191), 5 May 2017, Anaheim, California (2017). Doi: 10.1117/12.2262343

2-     H. Nakai, H. Sakakura, D. Kawade, H. Sarı, M. Itagaki, M. Sugiyama, “Quantification of sputtering damage during deposition on a substrate using electrochemical impedance spectroscopy for thin film solar cells” JSAP 2016 Spring Meeting, Japan (19-22 March 2016).

3-        S. Seyhun, H. Sarı, “A Computer modelling approach to decrease stray light in low light non imaging optical designs” SPIE, Optical Design and Engineering V (Conference 8550A), 26-29 November 2012, Barselona, Spain (2012)

4-       Z. Özbek, R. Çapan, H. Sarı, T. Uzunoğlu ve F. Davis “The electrical properties of calix[8]acid thin film”. Journal of Optoelectronics and Advanced Materials-, Vol.1 ISS.3- p.554-558, 2009, ISSN: Print: 2066 - 057X, On-line: 2066 – 0596, (Proceedings of the Condensed Matter Physics Conference of Balkan Countries, May 26th – May 28th, 2008, Muğla, TURKEY)

5-        T. Uzunoğlu, H. Sarı, R. Çapan, H. Namlı, O. Turhan, “Characterization of a novel 1,3-bis-(p-iminobenzoic acid) indane Langmuir-Blodgett (LB) films containing Cd2+ ions” Journal of Optoelectronics and Advanced Materials-Semposia, Vol.1 ISS.3, 2009, p.551-553 (Proceedings of the Condensed Matter Physics Conference of Balkan Countries, May 26th – May 28th, 2008, Muğla, TURKEY)

6-        H. H. Wieder, H. Sarı, “Surface and Interface Properties of In0.80Ga0.20As MIS Structures”, 29th Conference on the Physics and Chemistry of Semiconductor Interfaces (PCSI-29), Santa Fe, New Mexico 2002.