PROF.DR. SALİHA TÜLAY SERİN    
Adı : SALİHA TÜLAY
Soyadı : SERİN
E-posta : serin@eng.ankara.edu.tr
Tel : 03122033459
Ünvan : PROF.DR.
Birim : MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ
Bölüm : FİZİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ
Kişisel Akademik Bilgiler

Özgeçmiş

Prof. Dr.Tülay Serin                                                                                           

Ankara Üniversitesi Mühendislik Fakültesi, Fizik Müh. Böl. Tandoğan           

serin@eng.ankara.edu.tr. Tel: 0312 2033459 

Eğitim

Profesör Şubat 2000 Ankara Üniversitesi  Mühendislik Fakültesi Fizik Mühendisliği Bölümü

Doçent Ekim 1993 Ankara Üniversitesi  Mühendislik Fakültesi Fizik Mühendisliği Bölümü

Doktora Ocak1988 Ankara Üniversitesi  Mühendislik Fakültesi Fizik Mühendisliği Bölümü

Yüksek Lisans Şubat 1982 Ankara Üniversitesi  Mühendislik Fakültesi Fizik Mühendisliği Bölümü

Yüksek Müh.  Şubat 1977 Ankara Üniversitesi Fen Fakültesi   Fizik  Bölümü

İş deneyimi

Profesör Şubat 2000 Ankara Üniversitesi  Mühendislik Fakültesi Fizik Mühendisliği Bölümü

Yard. Doç. Dr. Haziran 1988 Ankara Üniversitesi  Mühendislik Fakültesi Fizik Mühendisliği Bölümü

Araştırma Görevlisi Mart 1979 Ankara Üniversitesi Fen Fakültesi   Fizik  Bölümü

          Tülay Serin YAYIN LİSTESİ

 

1-      Serin T, Aydınuraz , A. And Serin, N..The annealing effect on the Au/a-Si:H/a-Si:H(n-type)/ Cr Schottky diodes prepared by an r.f. magnetron sputtering technique, Semiconductor Science and Technology, 2, 742-746 ( 1987)

2-      Serin, T. and Serin, N. The effect of annealing on SnO2/a-SiC:H(p-type)/a-Si:H/a-Si:H(n-type)/Al structure, Semiconductor Science and Technology, 6, 679-683 ( 1991).

3-      Serin, T. and Serin, N..Determination of electron diffusion length from photo characteristics of a p/i/n structure", Applied Physics A 59, 431-433 (1994).

4-      Serin, T. and Serin, N. The effect of annealing on the resistance of a p/i/n structure, Semiconductor Science and Technology , 9 2097-2100 (1994).

5-      Alkan, B. Serin ,T. and Ünal, B. Dislocation scattering of electrons in plastically deformed germanium, Semiconductor Science and Technology, 11, 1046-1050 (1996).

6-      Serin,T. The investigation of annealing effect on the density of states in a-Si:H film, Semiconductor Science and Technology, 12,291-295 (1997).

7-      Serin ,T. The thermal equilibrium changes on reverse bias annealing in Schottky diodes ,Semiconductor Science and Technology ,12, 1451-1454 (1997).

8-       Serin , T..The investigation of annealing effect on the hydrogenated amorphous silicon pin diodes by capacitance techniques, Semiconductor Science and Technology, 13, 1272-1276 (1998).

9-      Serin,T. and Serin, N., Ag/a-Si:H/a-Si:H(n-type)/Cr Schottky diodes prepared by an r.f magnetron sputtering technique , Communication, series A2, A3, Physics ,Engineering Physics and Astronomy 36, 1-9 (1987).

10-  Serin,T. and Serin, N. The determination of minority carrier diffusion coefficient from the C-V characteristics of the Au/Ge/Sn structure, Communication, Series A2, A3, Physics, Engineering Physics and Astronomy, 37, 43-52 (1988).

11-  Serin,T. and Serin , N. a-SiC:H ve a-Si:H ince filmlerinden hazırlanmış p/i/n diyodunda engel yüksekliğinin tayini,Tr-J of Physics, 15, 608-6. 15, (1991).

12-  Serin,T. "The effect of the surface states on the current-voltage characteristics of Ag/a-Si:H/a-Si:H(n-type)/Cr Schottky diodes, Tr.J. of Physics, 17, 812 - 817 (1993).

13-  Serin,T. and Serin , N. The effect of the surface states on the current-voltage characteristics of Au/a-Si:H/a-Si:H(n+-type)/Cr Schottky diodes, Commun Fac.Sci. Univ. Ank. Series A2, A3 43 ,1 –7 (1994).

14-  Serin,T. The annealing effect on the capacitance-voltage characteristics of SnO2/a-SiC:H(p+-type)/a-Si:H/a-Si(n+-type)/Al structure, Tr. J. of Physics 19, 595-600 (1995).

15-  B. Alkan, T. Serin, B. Unal “Dislocation scattering of electrons in plastically deformed germaniumSemicond. Sci. Technol. 11, No 7, 1046 (1996).

16-  T. Serin, “The thermal equilibrium changes on reverse bias annealing in Schottky diodesSemicond. Sci. Technol. 12, No 11, 1451 (1997).

17-  T. Serin, “The investigation of an annealing effect on the density of states in a-Si:H filmSemicond. Sci. Technol. 12, No 3, 291 (1997).

18-  Serin,T. The determination of thermal annealing effect on the DOS profile of a-Si:H film, Tr. Journal of Physics, 22, 453-459 (1998).

19-  T. Serin, “The investigation of the annealing effect on hydrogenated amorphous silicon pin diodes by capacitance techniquesSemicond. Sci. Technol. 13, No 11, 1272 (1998).

20-  T. Serin, N. Serin, “Effect of reverse-bias annealing on thermal equilibrium changes in hydrogenated amorphous germaniumSemicond. Sci. Technol. 14, No 12, 1048 (1999).

21-  N. Serin, T. Serin, B. Ünal “The effect of humidity on electronic conductivity of an Au/CuO/Cu2O/Cu sandwich structureSemicond. Sci. Technol. 15, No 2, 112 (2000).

22-  T. Serin, N. Serin, C. Tarimci, B. Unal ” Determination of thermal annealing effect in intrinsic a-Si:H film”, Journal of Non-Crystalline Solids, 276, No 1-3, 30 (2000).

23-  N. Serin, T. Serin, A. R. Özdemir, B. Alkan, Ç. Tarımcı, B. Ünal, Turkish Journal of Physics, 26, 53 (2002).

24-  N. Serin, T. Serin, ”The photocapacitance property of Cu/Cu2O/Au sandwich structures” Semiconductor Science and Technology, 17, 1162 (2002).

25-  N. Serin, T. Serin, S. Karadeniz “Current-limiting property of Cu/cupric oxide/Cu sandwich structureSemicond. Sci. Technol. 17, No 1, 60 (2002).

26-  T. Serin, N. Serin, B. Schröder “Determination of the distribution of electronic states in hydrogenated amorphous germanium by capacitance techniquesSemicond. Sci. Technol. 19, No 2, 270 (2004).

27-  Karadeniz S, Tuğluoğlu N, Serin T “Substrate temperature dependence of series resistance in A1/SnO2/p-Si   (111) Schottky diodes prepared by spray deposition method “Applied Surface Science   233 5-13 (2004)

28-  N. Serin, T. Serin, Ş. Horzum, Y. Çelik ”Annealing effects on the properties of copper oxide thin films prepared by chemical deposition”, Semiconductor Science and Technology, 20, 398 (2005).

29-  S. Karadeniz, N. Tuğluoğlu, T. Serin, N. Serin, ” The energy distribution of the interface state density of SnO2/p-Si (111) heterojunctions prepared at different substrate temperatures by spray deposition method”, Applied Surface Science, 246, No 1-3, 30 (2005).

30-  T.Serin,N.Serin,S.Karadeniz,H.Sarı,N.Tuğluoğlu,O.Pakma”Electrical,structural and optical properties of SnO2 thin films prepared by spray pyrolysis”,Journal of .Non Crystalline. Solids, 352,209-215 (2006)

31-  Ş.Altındal,İ.Dökme,M.M.Bülbül,N.Yalçın,T.Serin,”The role of the interface insulator layer and interface states on the current-transport mechanism of Schottky diodes in wide temperature range” Microelectronic Engineering  83 499-505 (2006)

32-  H. Sari, T. Uzunoglu, R. Capan, N. Serin, T. Serin, C. Tarimci, H. Namli, and O. Turhan,”Investigation of the electrical properties of a novel 1,3-Bis-(p-iminobenzoic acid)indane Langmuir-Blodgett(LB) films containing ZnS nanoparticles  JOURNAL OF NANOSCIENCE AND NANOTECHNOLOGY    7    8   2654-2658(2007)

33-   O.Pakma, N. Serin, T. Serin and  Ş. Altındal ”The double Gaussian distribution of barrier heights in Al/TiO2/p-Si(metal-insulator-semiconductor) structures at low temperatures” Journal of applied  physics   104 014501 (2008)

34-  O. Pakma, N. Serin, T. Serin and Ş. Altındal ” Influence of frequency and bias

voltage on dielectric properties and electrical conductivity of  Al/TiO2/p-Si/p+(MOS) structures” J.Phys. D: Appl. Phys. 41   215103 (2008)

35-  O. Pakma, N. Serin, T. Serin and Ş. Altındal ”  The influence of series resistance

 and interface states on  intersecting behaviour of I-V characteristics of  Al/TiO2/p-Si (MIS) structures at low temperatures” Semicond. Sci. Technol. 23 105014 (2008)

36-  O. Pakma, N. Serin, and  T. Serin” The effect of repeated annealing temperature

 on the structural,  optical, and electrical properties of TiO2 thin films prepared by dip-coating sol-gel method” J. Mater. Sci. 44 401-407 (2009)

37-  O. Pakma, N. Serin, T. Serin and Ş. Altındal ” The effects of prepation temperature

on the main electrical parameters of Al/TiO2/p-Si (MIS) structures  by using sol-gel method” J. Sol-Gel Sci. Technol. 50 28-34 (2009)

38-  E. Sağıroğlu Topallı, K. Topallı, S. E. Alper, T. Serin and T. Akın” Pirani vacuum

       gauges using silicon on glass and dissolved wafer processes for the

       characterization   of MEMS vacuum packaging” IEEE Sensors Journal 9 263-

       270 (2009)

39-  Serin, T; Gurakar,    S; Serin, N, et al. Current flow mechanism in Cu2O/p-Si heterojunction prepared by chemical method JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS    42   22            225108   (2009)

40-  Yıldız, A; Serin, N; Serin, T, et al.The effect of intrinsic defects on the hole

transport in Cu2O  OPTOELECTRONICS AND ADVANCED MATERIALS-RAPID COMMUNICATIONS    3    10   Pages:   1034-1037   (2009 )

41-  Yıldız, A; Serin, N; Serin, T, et al. Crossover from Nearest-Neighbor Hopping

Conduction to   Efros-Shklovskii Variable-Range Hopping Conduction in Hydrogenated Amorphous Silicon  Films  JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS    48    11    111203   ( 2009)

42-  Kus, F O; Serin,T; Serin,N Current transport mechanisms of

n-ZnO/p-CuO heterojunctions JOURNAL OF OPTOELECTRONICS AND ADVANCED

MATERIALS    11   I 1 1855-1859 (2009)   

43-  A.Yıldız, N.Serin, M.Kasap, T.Serin, DianaMardare,  The thickness effect

on the electrical Conduction mechanism in titanium oxide  thin films

Journal of Alloys and Compounds 493 (2010) 227–232

 

 

 

 

TARİHÇE:

Yarıiletken Fiziği araştırma laboratuvarının kurulmasi 1977 yılında Prof.Dr.Rauf Nasuhoğlu'nun teşvikleri dogrultusunda Dr.Necmi Serin tarafindan başlatılmıştır. İlk olarak ince metal filmlerin hazırlandığı ve 10-6 Torr. vakuma düşebilen bir "Vacuum Coating" sistemi kurulmuştur. Daha sonra, elle kontrol edilen (manual) "Empedance Bridge", "Capacitance Bridge" ve "Elektrometre" satın alınmıştır. Bakır(Cu) alttabaka üzerinde Bakır(I) Oksit(Cu2O) ve Bakır(II) Oksit(CuO) kristalleri büyütülmüstür. Au/Cu2O/Cu , Au/CuO/Cu, Au/CuO/Cu2O/Cu metal/oksit/metal yapıları hazırlanmıştır. Bu yapıların Kapasite-Gerilim-Frekans-Sıcaklık-Nem ve Akım-Gerilim-Sıcaklık-Nem karekteristikleri ölçülmüş ve yapıların elektriksel iletkenlikleri araştırılmıştır. Araştırma sonuçları doçentlik tezi(1981), ulusal(1984) ve uluslararası makaleler (2000) olarak yayınlanmıştır.

1993 yılında amorf silisyum ince filmleri büyütmek amacıyla eski bir x-ışınları cihazından yararlanılmış ve bazı parçalar ve cihazlar da satın alınarak "D.C. Magnetron Sputtering" cihazı kurulmuştur. Yine Kalay Oksit(SnO2) ve Çinko Oksit(ZnO) püskürtme sistemi kurulmuştur. Ankara Üniversitesi Araştirma Fonu projesinden Momokromatör ve optik filtre setleri satın alınmıştır. Bununla ilgili çalışmalar yüksek lisans tezi olarak yayınlanmıştır.

1993 yılında hurdalıktan bulunan bir vakum cihazı getirilerek çalışır duruma getirilmiştir. 1994 yılında bilgisayar kontrollü "Empedance Analyzer", 1998 yılında 10-8 Torr a inebilen bir "Vacuum Coating" cihazı temin edilmiş, ampermetre ve akım/güç kaynağı, elektrometre, arabirim(interface) kartları satın alınmış ve bir TÜBİTAK projesi desteğiyle bilgisayar kontrollü ölçü düzeneği kurulmuştur. Daha sonraki yıllarda BAP ve BİP ‘den aalınan projelerle aşağıdaki cihazlar laboratuara kazandırılmıştır.

 

Yarıiletken araştırma laboratuarında tamamlanmış Doktora Tezleri , Doçentlik ve Profesörlük Çalışmaları  :

Necmi Serin(Doç. Prof.)

Tülay Serin(Dr. Doç, Prof.)

Serdar KARADENİZ (Yük. Lis, Dr,)

İnci ÇAPAN (Dr.)

Tayfun UZUNOĞLU(Dr)

Osman PAKMA(Dr)

 Nurcan YILDIRIM(Yük. Lis., Dr.)


Devam Eden  Doktora Çalışmaları :

Figen Özyurt KUŞ

Sibel GÜRAKAR
Savaş SÖNMEZ

Doktora Sonrası Çalışmalar :

Dr. Abdullah YILDIZ  Ahi Evran Üniversitesi Fen- Edebiyat Fakültesi Fizik Bölümü, 2009 ,bir yıl(TUBİTAK- doktora sonrası bursu)

Devam eden yüksek lisans Çalışmaları :   

           
Aysun  ARSLAN, Kastamonu Üniversitesi Fen-Edebiyat Fakültesi Fizik Bölümü

Tamamlanmış Yüksek Lisans ve Yüksek Mühendislik tez Çalışmaları :

 

Abdurrahman Oğuzata,   Eğri Çizici(Curve Tracer) 28 sayfa, 1981

Gülizar Alacapınar,  Sıvılarda Foto-Voltaik Olay, 50 sayfa, 1987

Hasan Akın, Dört Uçlu(Four Frobe) , 39 sayfa 1982

Ali Halıcı,  Cu2O çoklu ve Tek Kristal Büyütme Yöntemleri, 40 sayfa 1979

İlhan Aksoy, (Yük. Lisans) Cu2O çoklu kristalinin fotoiletkenliği

Bayram Ünal,  Yüksek Lisans, Metal/yalıtkan/yarıiletken/metal yapılarında  yüzey durumlarının  tayini

Ali Rıza ÖZDEMİR (Yük. Lis), Kalayoksit (SnO2) ince filmlerinde elektriksel  iletkenliğin ve ışık geçirgenliğinin incelenmesi

Osman Pakma Doktora Al/SnO2/p-Si/Al yapılarında yüzey şartlarının elektroniksel iletkenliğe etkisi

Orhan DURAN (Yük. Lis),  Hidrojenlendirilmiş amorf silisyum yapılarda kapasite gerilim yöntemiyle durum dağılımının belirtilmesi

Nurcan YILDIRIM (Yük. Lis),  Al/ SnO2/ p-Si/ Al yapılarında ısısal tavlamanın yüzey durumlarına etkisi Alt tabaka sıcaklığının püskürtme yöntemiyle hazırlanan çinko oksit filmlerin elektriksel iletkenlik ve optiksel özellikleri üzerine etkisi

Mine Erdem ÖZGÜR (Yük. Lis) İnce filmlerin kalınlık ve optiksel sabitlerinin bulunması

Figen ÖZYURT (Yük. Lis), Isisal tavlamanın püskürtme yöntemiyle elde edilmiş çinko oksit filmlerin elektriksel iletkenlik ve optiksel özelliklerine etkisi

Yasemin ÇELİK (Yük. Lis) Kimyasal yöntemle büyütülen çinko oksit ince filmlerin yapısal, optiksel ve elektriksel özelliklerinin incelenmesi

Şeyda HORZUM (Yük. Lis) Kimyasal olarak kaplanmış Cu2O ince filmlerin yapısal, elektriksel ve optiksel özelliklerinin incelenmesi

Bora KETENOĞLU (Yük. Lis) Silisyumdan yapılmış metal/yarıiletken/metal sandeviç yapılarda uzay-yüküyle-sınırlı-akım (SCLC)

Özge HASANÇEBİ (Yük. Lis) Sol-gel yöntemiyle hazırlanan bakır oksit ince filmlerin elektriksel, yapısal ve optiksel özelliklerinin incelenmesi

Deniz ŞENER (Yük. Lis) Sol-gel yöntemiyle hazırlanan metal oksit ince filmlerin elektriksel, yapısal ve optiksel özelliklerinin incelenmesi

Murat KÖKSAL (Yük. Lis) Heteroyapılarda alan altında kutuplanabilirlik ve fotoiyonizasyon tesir-kesiti hesabı

Sibel GÜRAKAR , (Yük. Lis)

LABORATUVARDAKİ CİHAZLAR:

1)      U-V spectrometer

2)      UV-near Infrared spectrometer

3)      Cryostate (1.4-475 K (L-He); 77-475 K (LN2))

4)      Kapalı devre Kriyostat 10K- 325 K

5)      Bilgisayar HP??? denetimli "Empedance Analyzer",

6)      Manual "Capacitance Bridge", (manual) "Empedance Bridge"

      7) Bilgisayar denetimli "Akim-gerilim-sicaklik" Ölçüm sistemleri sistemi

      8) Bilgisayar denetimli “İletkenlik-sıcaklık” ölçme sistemi

      9) "D.C.  ve A.C. Magnetron Sputtering" sistemi

   10) 3 adet "Vacuum Coating" sistemi, Min. 10-5Torr. , 10-6Torr. ,10-8Torr.

    11) "Magnet" (0.4 Tesla)

   12) Püskürtme sistemi(Spraying Unit) (home made) (SnO2 , ZnO , TiO2 ince

          filmleri hazırlamak için)

   12)  Kristal kesme sistemi ,

   13)  Kristal parlatma sistemi

   14)  Vakumlu Difüzyon fırını

    15)  Difüzyon Fırını

    16) “ Püskürtme(Spraying Coating) sistemi(ev yapımı) (SnO2 , ZnO , TiO2 ince

            filmleri hazırlamak için)

    18) “ Spin coating sistemi(ev yapımı) (SnO2 , ZnO , TiO2 ince filmleri hazırlamak için)

     19) Çeker ocak, ve yüksek sıcaklık fırını (Max.1250 oC)

     20) Bolometer, Monokromatör, Optik Flitre seti

     21) 18 M Ohm Deiyonize suarıtma sistemi

Diğer Araştırma  Laboratuarlarında bulunan  ve gerektiğinde yararlanılabilecek  cihazlar:

1)      Infrared Spektometre,

2)      Electron Microscope

3)      Atomic Force Mikroskobu/)AFM

4)       X-Ray Difractrormetresi

 

Laboratuvardaki Cihazların Resimleri:

!!!!!!!!!    CİHAZLARIN   RESİMLER İLAVE EDİLECEK    !!!!!!!!!!!!!!!!!!

 

 

LABORATUVARDA YAPILMAKTA OLAN ÇALISMALAR:

1) Hidrojenleştirilmiş amorf silisyum ince filmler

2) Metal/a-Si:H/Metal) Metal/c-Si:H/Metal, Metal/c-Ge/Metal), Metal/ Cu2O /Metal    Schottky Diyodları,

3)  germanyum ve silisyum tek kristalleri üzerinde oksit  ince filmleri büyütülmekte ve hazırlanan p/i/n diyotları , Cu2O /ZnO, Cu2O/TiO2 hetereo eklemler hazırlanmakta,sandviç yapılarda "Kapasite-spektrometre" tekniği kullanılarak "durum yoğunluğu" (DOS, density of state) tayini ve durum yoğunluğunun değişmesine etki eden nedenler araştırılmaktadır

4) Güneş pilleri

LABORATUARDA  YAPILABİLECEK ÇALISMALAR:

1)      4-300 K ve 300-400 K sıcaklığı aralığında Kapasite-gerilim-frekans-sıcaklık(C-V-f-T), akım-gerilim-sıcaklık(I-V-T) karektrizasyonu,

2)      Yarıiletken gaz, nem, ışık, radyasyon sensörleri yapımı ve ölçümleri

3)      foto-voltaik yapılar, foto-diyotlar,

4)       güneş pilleri;

5)      Hall  olayı ölçümleri;

6)       foto-iletkenlik,

7)       a.c. ve d.c.  iletkenlik ölçümleri, foto elektriksel iletkenlik ölçümleri

8)       mobilite ve life-time ölçmeleri,

9)      uzay-yüküyle-sınırlanmış-akım(SCLC) ölçümleri

10)  d.c.ve a.c. magnetron tekniğiyle ince film büyütme

11)  UV- yakın bölge INFRARED Ölçümleri

 

YARIİLETKEN FİZİĞİyle İlgili dersler

FZM. 401 Katıhal Fiziği I (mecburi)

FZM. 401 Katıhal Fiziği I (seçmeli)

FZM. 317 Vakum Teknikleri             (3. Sınıf-Seçmeli)
FZM. 357 Elektronik Lab                  (3. Sınıf-Seçmeli)      

FZM358 Elektronik Lab                    (3. Sınıf-Seçmeli)    

FZM. 407 Sayısal Elektronik             (4. Sınıf-Seçmeli)
FZM. 457 Sayısal Elektronik Lab.    (4. Sınıf-Seçmeli)
FZM.411 Entegre Devreler               (4. Sınıf-Seçmeli)

424 Katıhal Elektroniği
FZM. 425 Yarıiletken Fiziği I           (4. Sınıf-Seçmeli)
FZM. 426 Yarıiletken Fiziği II
         (4. Sınıf-Seçmeli)
FZM. 424 Katıhal Elektroniği           (4. Sınıf-Seçmeli)
FZM. 411 Entegre Devreler              (4. Sınıf-Seçmeli)
FZM. 450 Elektro-Optik                   (4. Sınıf-Seçmeli)


           
Yüksek Lisans-Doktora


FZM561 Optoelektronik
 
FZM531 Yarıiletken Yapılar Fiziği I
FZM532 Yarıiletken Yapılar Fiziği II

FZM. Yüzey Fiziği I

 FZM. Yüzey Fiziği II

 

YARIİLETKEN FİZİĞİ ARAŞTIRMA LABARATUARDAKİ ÇALIŞMALARDAN YAYINLANMIŞ  MAKALELER:

1-      Serin N, “ Au/CuO/Cu yapısının anahtarlama özelliği"Doğa Bilim Dergisi , 6/1 ,27 (1982).

2-      Serin N, 1983, Capacitance-voltage measurement of Au/Ge/Sn Structure at liquid nitrogen temperature, Journal of Technical Physics, 24, 1, 121.

3-      Serin N, 1984, Cu/a-Si:H/a-Si:H(n-type)/Cr0 Schottky diodes prepared r.f. magnetron sputtering technique, Journal of Physics D:Applied Physics, 17, 1485.

       4-      Serin N, 1985, The determination of minority carrier diffusion coefficient from the capacitance-voltage characteristics of Au/Ge Schottky barrier, Applied Physics :A, 36, 209.

5-      Serin T, Uraz A A, Serin N, 1987, The annealing effect on the Au/a-Si:H/a-Si:H(n-type )/Cr Schottky diodes prepared by a r.f. magnetron sputtering technique Semiconductor Science and Technology, 2, No 11, 742-746.

6-      Serin,T. and Serin, N.1987, Ag/a-Si:H/a-Si:H(n-type)/Cr Schottky diodes prepared by an r.f magnetron sputtering technique , Communication, series A2, A3, Physics ,Engineering Physics and Astronomy 36, 1-9.

7-      Serin,T. and Serin, N. 1988, The determination of minority carrier diffusion coefficient from the C-V characteristics of the Au/Ge/Sn structure, Communication, Series A2, A3, Physics, Engineering Physics and Astronomy, 37, 43-52.

8-      Serin, T. and Serin, N. 1991.The effect of annealing on SnO2/a-SiC:H(p-type)/a-Si:H/a-Si:H(n-type)/Al structure, Semiconductor Science and Technology, 6, 679-683.

9-      Serin T, Serin N, 1994 ,The effect of annealing on the resistance of a p/i/n structure" Semiconductor Science and Technology, 9, No 11, 2097.

10-  Serin N, Serin T, 1994 , The determination of electron diffusion length from photo characteristics of a p/i/n structure" Applied Physics A, 59, 431.

11-  Serin N, 1982, Au/CuO/Cu yapısının anahtarlama özelliği"Doğa Bilim Dergisi , 6/1 ,27.

12-  Serin N, 1982 Au/Ge/Sn yapısı ve sıvı azot sıcaklığında kapasite-gerilim ölçmeleri"Doğa Bilim Dergisi, 6/2, 47.

13-  Serin N, 1974, Trap depth measurement by thermoluminescence in Li2B4O7 crystals"Technical Journal , 1, 33.

14-  Serin N, 1983 , Au/Ge/Al(Alatim) yapısında akım-gerilim ve kapasite-gerilim ölçmeleri"Doğa Bilim Dergisi, 7/3, 221.

15-  Serin N , 1983 , Foto-elektrik yöntemle amorf silisyum Schottky diyodlarında engel yüksekliği tayini Doğa Bilim Dergisi 7/3 , 412.

16-  Serin T, Serin N, 1987 ,Ag/a-Si:H/a-Si:H(n-type)/Cr Schottky diodes prepared by an r.f. magnetron sputtering technique" Communication , Series A2-A3 , Physics ,Engineering Physics and Astronomy 36, 1.

17-  Serin T, Serin N, 1988, The determination of minority carrier diffusion coefficient from the C-V characteristicsof the Au/Ge/Sn structure" Communication ,Series A2-A3 , Physics ,Engineering Physics and Astronomy, 37, 43.

18-  Serin,T. and Serin , N., 1991, a-SiC:H ve a-Si:H ince filmlerinden hazırlanmış p/i/n diyodunda engel yüksekliğinin tayini,Tr-J of Physics, 15, 608-6. 15.

19-  Serin,T. 1993, "The effect of the surface states on the current-voltage characteristics of Ag/a-Si:H/a-Si:H(n-type)/Cr Schottky diodes, Tr.J. of Physics, 17, 812 - 817.

20-  Serin T, Serin N, 1994, The effect of the surface states on the current -voltage characteristics of Au/a-Si:H/a-Si:H(n-type)/Cr Schottky diodes"Commun. Fac.Sci.Univ.Ank.Series A3,A2,43 ,1. 33,3-13.

21-  Serin, T. and Serin, N. 1994.Determination of electron diffusion length from photo characteristics of a p/i/n structure", Applied Physics A 59, 431-433.

22-  Serin, T. and Serin, N. 1994. The effect of annealing on the resistance of a p/i/n structure, Semiconductor Science and Technology , 9  2097-2100

23-  . Serin,T. and Serin , N. 1994, The effect of the surface states on the current-voltage characteristics of Au/a-Si:H/a-Si:H(n+-type)/Cr Schottky diodes, Commun Fac.Sci. Univ. Ank. Series A2, A3 43 ,1 –7.

24-  Serin,T. 1995.The annealing effect on the capacitance-voltage characteristics of SnO2/a-SiC:H(p+-type)/a-Si:H/a-Si(n+-type)/Al structure, Tr. J. of Physics 19, 595-600.

24    Alkan, B. Serin ,T. and Ünal, B. 1996.Dislocation scattering of electrons in plastically deformed germanium, Semiconductor Science and Technology, 11, 1046-1050.

25     B. Alkan, T. Serin, B. Unal “Dislocation scattering of electrons in plastically deformed germaniumSemicond. Sci. Technol. 11, No 7, 1046 (1996).

26    T. Serin, “The thermal equilibrium changes on reverse bias annealing in Schottky diodesSemicond. Sci. Technol. 12, No 11, 1451 (1997).

27    T. Serin, “The investigation of an annealing effect on the density of states in a-Si:H filmSemicond. Sci. Technol. 12, No 3, 291 (1997).

28    Serin ,T. 1997, The thermal equilibrium changes on reverse bias annealing in Schottky diodes ,Semiconductor Science and Technology ,12, 1451-1454.

29    Serin,T. 1997. The investigation of annealing effect on the density of states in a-Si:H film, Semiconductor Science and Technology, 12,291-295.

30    Serin , T. 1998.The investigation of annealing effect on the hydrogenated amorphous silicon pin diodes by capacitance techniques, Semiconductor Science and Technology, 13, 1272-1276.

31     Serin,T. 1998.The determination of thermal annealing effect on the DOS profile of a-Si:H film,Tr. Journal of Physics, 22, 453-459.

32     T. Serin, “The investigation of the annealing effect on hydrogenated amorphous silicon pin diodes by capacitance techniquesSemicond. Sci. Technol. 13, No 11, 1272 (1998).

33    T. Serin, N. Serin, “Effect of reverse-bias annealing on thermal equilibrium changes in hydrogenated amorphous germaniumSemicond. Sci. Technol. 14, No 12, 1048 (1999).

34    N. Serin, T. Serin, B. Ünal “The effect of humidity on electronic conductivity of an Au/CuO/Cu2O/Cu sandwich structureSemicond. Sci. Technol. 15, No 2, 112 (2000).

35    T. Serin, N. Serin, C. Tarimci, B. Unal ” Determination of thermal annealing effect in intrinsic a-Si:H film”, Journal of Non-Crystalline Solids, 276, No 1-3, 30 (2000).

36    T. Serin, N. Serin, C. Tarimci, B. Unal ” Determination of thermal annealing effect in intrinsic a-Si:H film”, Journal of Non-Crystalline Solids, 276, No 1-3, 30 (2000).

37    N. Serin, T. Serin, B. Ünal “The effect of humidity on electronic conductivity of an Au/CuO/Cu2O/Cu sandwich structureSemicond. Sci. Technol. 15, No 2, 112 (2000).

38    S. Karadeniz, N. Serin, “Useful and low cost instrument for capacitance measurements” Review of Scientific Instruments, v 71, N 8, 3193(2000).

39     N. Serin, T. Serin, A. R. Özdemir, B. Alkan, Ç. Tarımcı, B. Ünal, Turkish Journal of Physics, 26, 53(2002).

40    N. Serin, T. Serin, ”The photocapacitance property of Cu/Cu2O/Au sandwich structures” Semiconductor Science and Technology, 17, 1162 (2002).

41    N. Serin, T. Serin, S. Karadeniz “Current-limiting property of Cu/cupric oxide/Cu sandwich structureSemicond. Sci. Technol. 17, No 1, 60 (2002).

42    N. Serin, T. Serin, ”The photocapacitance property of Cu/Cu2O/Au sandwich structures” Semiconductor Science and Technology, 17, No 11,1162 (2002).

43    T. Serin, N. Serin, B. Schröder “Determination of the distribution of electronic states in hydrogenated amorphous germanium by capacitance techniquesSemicond. Sci. Technol. 19, No 2, 270 (2004).

44    Karadeniz S, Tugluoglu N, Serin T “Substrate temperature dependence of series resistance in A1/SnO2/p-Si   (111) Schottky diodes prepared by spray deposition method “Applied Surface Science 233 5-13 (2004)

45    N. Serin, T. Serin, Ş. Horzum, Y. Çelik ”Annealing effects on the properties of copper oxide thin films prepared by chemical deposition”, Semiconductor Science and Technology, 20, 398 (2005).

46    S. Karadeniz, N. Tuğluoğlu, T. Serin, N. Serin, ” The energy distribution of the interface state density of SnO2/p-Si (111) heterojunctions prepared at different substrate temperatures by spray deposition method”, Applied Surface Science, 246, No 1-3, 30 (2005).

47    T.Serin,N.Serin,S.Karadeniz,H.Sarı,N.Tuğluoğlu,O.Pakma”Electrical,structural and optical properties of SnO2 thin films prepared by spray pyrolysis”,Journal of .Non Crystalline. Solids,352,209-215 (2006)

       48 - T. Uzunoğlu, H. Sarı, R. Çapan, Ç. Tarımcı, T. Serin, N. Serin, H. Namlı,

              O. Turhan, “ZnS nanoparçacıklar içeren Langmuir-Blodgett ince filmlerin

               elektriksel özellikleri”, Selçuk Üni. Fen Ed Fak Fen Dergisi, sayı:28, sayfa:65-72 (2006)

      49- H. Sarı, T. Uzunoğlu, O. Turhan, “1,3-Bis-(P-İminobenzoik Asit) indan

             Langmuir-Blodgett (LB) filmlerin elektriksel özellikleri”, Balıkesir Üni.

             Fen Bilimleri Enstitüsü Dergisi, cilt 8., sayı:1 sayfa:46 (2006)

50-  Ş.Altındal,İ.Dökme,M.M.Bülbül,N.Yalçın,T.Serin,”The role of the interface insulator layer and interface states on the current-transport mechanism of Schottky diodes in wide temperature range”,Microelectronic Engineering 83 499-505 (2006)

51-  H. Sari, T. Uzunoglu, R. Capan, N. Serin, T. Serin, C. Tarimci, H. Namli, and O. Turhan,”Investigation of the electrical properties of a novel 1,3-Bis-(p-iminobenzoic acid)indane Langmuir-Blodgett(LB) films containing ZnS nanoparticles    (2007) H. Sarı, T. Uzunoğlu, R. Çapan, N. Serin, T. Serin, Ç. Tarimci, A. K. Hassan, H. Namli, O. Turhan, “Investigation of the electrical properties of a novel 1,3-Bis-(p-iminobenzoik acid) indan Langmuir-Blodgett (LB) films containing ZnS nanoparticles”, J. Nanoscience and Nanotechnology, Vol.7, No:8, 2654-2658, (2007).

52-  O.Pakma, N. Serin, T. Serin and  Ş. Altındal ”The double Gaussian distribution of barrier heights in  Al/TiO2/p-Si(metal-insulator-semiconductor) structures at low temperatures” Journal of Applied Physics   104 014501 (2008)

53-  O. Pakma, N. Serin, T. Serin and Ş. Altındal ” Influence of frequency and  bias voltage on dielectric  properties and electrical conductivity of  Al/TiO2/p-Si/p+(MOS) structures” J.Phys. D: Appl. Phys. 41  215103 (2008)

54-  O. Pakma, N. Serin, T. Serin and Ş. Altındal ”  The influence of series resistance and interface states on  intersecting behaviour of I-V characteristics of  Al/TiO2/p-Si (MIS) structures at low temperatures” Semicond. Sci. Technol. 23 105014 (2008)

55-  Özbek, Z., Çapan, R., Sarı, H., Uzunoğlu, T. ve Davis F. “The electrical properties of calix[8]acid thin film”. Journal of Optoelectronics and Advanced Materials-, Vol.1 ISS.3- p.554-558, 2009, ISSN: Print: 2066 - 057X, On-line: 2066 – 0596, (Proceedings of the Condensed Matter Physics Conference of Balkan Countries, May 26th – May 28th, 2008, Muğla, TURKEY)

56-  Uzunoğlu, T., H. Sarı, R. Çapan, H. Namlı, O. Turhan, “Characterization of a novel 1,3-bis-(p-iminobenzoic acid) indane Langmuir-Blodgett (LB) films containing Cd2+ ions Journal of Optoelectronics and Advanced Materials-Semposia, Vol.1 ISS.3- p.554-558, 2009, p.551-553 (Proceedings of the Condensed Matter Physics Conference of Balkan Countries, May 26th – May 28th, 2008, Muğla, TURKEY)

57-  O. Pakma, N. Serin, and  T. Serin” The effect of repeated annealing temperature on the structural,  optical, and electrical properties of TiO2 thin films prepared by dip-coating sol-gel method” J. Mater. Sci. 44 401-407 (2009)

58-   O. Pakma, N. Serin, and  T. Serin” The effect of repeated annealing temperature on the structural, optical, and electrical properties of TiO2 thin films prepared by dip-coating sol-gel method” J. Mater. Sci. 44 401-407 (2009)

59-  O. Pakma, N. Serin, T. Serin and Ş. Altındal ” The effects of prepation temperature on the main  electrical parameters of Al/TiO2/p-Si (MIS) structures  by using sol-gel method” J. Sol-Gel Sci. Technol. 50 28-34 (2009) 

60-    E. Sağıroğlu Topallı, K. Topallı, S. E. Alper, T. Serin and T. Akın” Pirani vacuum gauges using silicon on glass and dissolved wafer processes for the characterization of MEMS vacuum packaging” IEEE Sensors Journal 9 263-270 (2009)

61-  Uzunoğlu, T., Sarı, H., Çapan, R., Namlı, H., Turhan, O. “Characterization of  novel 1,3-bis-(p-iminobenzoic acid) indane Langmuir-Blodgett (LB) films, with and without Zn2+ ions”, Journal of Optoelectronics and Advanced Materials, vol. 11, No.10,  p1408-1411, 2009.

62-  Özbek, Z., Çapan, R., Sarı, H., Uzunoğlu, T. ve Davis F. “Electrical properties of Langmuir-Blodgett thin films using calixarene molecules”, Journal of Optoelectronics and Advanced Materials, vol. 11, No.10,  p1412-1415, 2009. 3- Uzunoğlu T., Çapan, R., Sarı, H.,“Influence of Cd2+ ions on electrical properties of stearic acid Langmuir-Blodgett (LB) Films”, Materials Chemistry and Physics, vol. 117, 281-283, 2009.

63-  A. Yildiz, N. Serin, T. Serin and M. Kasap "The effect of intrinsic defects on the hole transport in bulk Cu2O polycrystal" Opt. Adv. Rapid Comm.3 (2009)1034.

64-  A.Yildiz, N. Serin, T. Serin and M. Kasap “Crossover from nearest-neighbor hopping conduction to Efros-Shklovskii variable-range hopping conduction in hydrogenated amorphous silicon films” Jpn J. Appl. Phys. 48 (2009) 11203

65-  F. ÖZYURT KUŞ, T. SERİN, N. SERİN “Current transport mechanisms of n-ZnO/p-CuO Heterojunctions” JOURNAL OF OPTOELECTRONICS AND ADVANCED MATERIALS, Vol. 11, No. 11, November 2009, p. 1855 – 1859

66-    A. Yildiz, N. Serin, M. Kasap, T. Serin, Diana Mardare,  The thickness effect on the electrical conduction mechanism in titanium oxide thin films. Journal of  Alloy  sand Compounds 493 (2010) 227–232